研究人员找到了一种更快的方法来蚀刻3D Nandplasma基于冷冻蚀刻技术的蚀刻速度，提高了效率的蚀刻速度可能意味着更便宜的存储空间 ，但现实世界的影响是TBD
3D NAND闪存与传统的单层NAND不同 ，因为它垂直堆叠内存单元格，以将更多的存储空间塞入较小的空间中 。
该过程涉及将精确的深孔雕刻成氧化硅和氮化硅的交替层，直到现在 ，这总是有点慢 。
来自LAM研究 ，科罗拉多大学博尔德大学和美国能源部的普林斯顿血浆物理实验室（PPPL）的一组研究人员开发了一种基于等离子体的技术，该技术可以以更快的速度蚀刻3D NAND内存所需的深层 ，狭窄的孔 ，这是一篇论文，发表在《真空科学和技术杂志》上。
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它会使最终用户受益吗？
该团队的方法使用氟化氢血浆而不是传统方法使用低温蚀刻过程。
Lam Research的Thorsten Lill说：“与先前使用单独的氟和氢源相比 ，氟化氢血浆的冷冻蚀刻显示出蚀刻速率的显着增加 。”使用新方法，该层的蚀刻速率从每分钟的310纳米升至每分钟640纳米 - 效率增加了一倍以上 。
Lill补充说：“蚀刻的质量似乎也有所提高 ，这很重要。 ”
研究人员还研究了三氟磷的影响 。在此过程中添加它是二氧化硅的蚀刻速率四倍 ，但它仅对氮化硅层具有边缘影响 。他们还查看了氟硅酸铵，这是一种在氮化硅与氟化氢反应时在蚀刻过程中形成的化学物质。这减慢了蚀刻过程，但发现加水可以抵消这一点 。
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尽管要为技术成就鼓掌 ，但实际含义并不清楚。更快 ，更好的蚀刻速度可能会简化和加快生产的速度，但是这些节省是否会降低到更好的或更便宜的存储设备 ，还有待观察 。
“Most people are familiar with NAND flash memory because it’s the kind that is in the memory cards for digital cameras and thumb drives. It is also used in computers and mobile phones. Making this type of memory denser still - so that more data can be packed into the same footprint - will be increasingly important as our data storage needs grow due to the use of artificial intelligence, ” explained Igor Kaganovich, a principal research physicist atPPPL 。
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